免费AV网站,奶水都出来了[14p],亚洲一区二区三区 无码

    <dd id="a8ql2"><pre id="a8ql2"></pre></dd>
        <th id="a8ql2"></th>
            歡迎訪問新電子!
        點擊這里給我留言 登錄  |  注冊   |   加入收藏   |   設為首頁
         
          您當前的位置: > >新品動態

        Vishay推出PowerPAK? 8x8L封裝60 V和80 V N溝道MOSFET,優異的RDS(ON) 導通電阻低至0.65mΩ


        作者:    時間:2022/2/10 16:00:17  來源:   
        小型器件采用無引線鍵合鷗翼引線結構,提高板級可靠性
         
        賓夕法尼亞、MALVERN — 20222月7日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出兩款n溝道TrenchFET® MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E,提高通信和工業應用功率密度、能效和板級可靠性。為實現設計目標,60 V SiJH600E和80 V SiJH800E具有超低導通電阻,工作溫度可達+175 °C以及高連續漏極電流。節省空間的PowerPAK® 8x8L封裝采用無引線鍵合鷗翼引線結構消除機械應力,有助于提高板級可靠性。
         
        SiJH600E和SiJH800E超低導通電阻—10 V下典型值分別為0.65 mΩ和1.22 mΩ—比同代PowerPAK SO-8封裝器件分別降低54 %和52 %,從而減小了傳導功耗,實現節能的效果。
         
        為提高功率密度,SiJH600E和SiJH800E連續漏極電流分別為373 A和288 A,封裝占位面積比D2PAK封裝減小60 %,高度降低57 %。為節省電路板空間,每款MOSFET還可以用來取代兩個并聯的PowerPAK SO-8器件。
         
        器件規格表:
        產品型號
        VDS (V)
        ID (A)
        RDS(ON) @ 10 V (mΩ)
        Rthjc (°C/W)
        SiJH600E
        60
        373
        0.65
        0.36
        SiJH800E
        80
        299
        1.22
        0.36
         
        Vishay Siliconix器件工作溫度可達+175 °C,性能穩定可靠,適用于電源、電機驅動控制、電池管理和電動工具等應用同步整流。器件采用無鉛 (Pb) 封裝、無鹵素、符合RoHS標準,經過100 % Rg和UIS測試。
         
        封裝對比表:
        封裝
        長 (mm)
        寬 (mm)
        高 (mm)
        尺寸 (長x寬mm2)
        PowerPAK 8x8L
        8.0
        7.9
        1.8
        63.2
        D2PAK (TO-263)
        15.2
        10
        4.4
        152
         
        SiJH600E和SiJH800E現可提供樣品。產品供貨周期和數量的相關信息,請與Vishay或我們的經銷商聯系。
        關鍵詞:
        回復主題 登錄后回復

        資訊版權聲明:
           凡本網注明“來源:新電子”的所有作品,版權均屬于新電子,轉載請注明“來源:新電子”。違反上述聲明者,本網將追究其相關法律責任。 本網轉載自其它媒體的信息,轉載目的在于傳遞更多信息,并不代表本網贊同其觀點和對其真實性負責。
        免费AV网站,奶水都出来了[14p],亚洲一区二区三区 无码