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        Vishay推出薄型PowerPAK? 600 V EF系列快速體二極管MOSFET,其RDS(ON)*Qg FOM創業界新低


        作者:    時間:2022/10/12 17:14:00  來源:   
        N溝道器件實現高功率密度,降低導通和開關損耗,提高能效
         
        賓夕法尼亞、MALVERN — 202210月12日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用薄型PowerPAK® 10 x 12封裝的新型第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET---

        SiHK045N60EF。Vishay Siliconix n溝道 SiHK045N60EF導通電阻比前代器件降低29 %,為通信、工業和計算應用提供高效、高功率密度解決方案,同時柵極電荷下降60 %,從而使器件導通電阻與柵極電荷乘積,即功率轉換應用中600 V MOSFET的重要優值系數
        FOM創業界新低。
         
        Vishay提供豐富的MOSFET技術支持各級功率轉換,涵蓋高壓輸入到低壓輸出的各種高科技系統。隨著SiHK045N60EF的推出,以及其他第四代600 V EF系列器件的發布,Vishay可滿足電源系統架構前兩級提高能效和功率密度的要求——包括圖騰柱無橋功率因數校正PFC以及其后的DC/DC轉換器模塊。典型應用包括邊緣計算和數據存儲、不間斷電源、高強度放電HID燈和熒光燈鎮流器照明、太陽能逆變器、焊接設備、感應加熱、電機驅動和電池充電器。
         
        SiHK045N60EF基于Vishay高能效E系列超結技術,10 V條件下典型導通電阻僅為0.045 Ω,比PowerPAK 8 x 8封裝器件低27 %,從而提高了額定功率,支持≥ 3 kW的各種應用,同時器件高度低至2.3 mm,增加了功率密度。此外,MOSFET超低柵極電荷降至70 nC。器件的FOM為3.15 Ω*nC,比同類中最接近的MOSFET競品低2.27 %。這些參數表明導通和開關損耗降低,從而節省能源提高能效。器件滿足服務器電源鈦效率的特殊要求,或通信電源達到98%的峰值效率。
         
        SiHK045N60EF有效輸出電容Co(er) Co(tr) 分別僅為171 pf和1069 pF,可改善零電壓開關ZVS拓撲結構開關性能,如LLC諧振轉換器。器件的Co(tr) 同類中最接近的MOSFET競品低8.79 %,而其快速體二極管的Qrr低至0.8 μC,有助于提高橋式拓撲結構的可靠性。此外,MOSFET的PowerPAK 10 x 12封裝具有任何表面貼裝的出色熱性能,最大結-殼熱阻額定值為0.45 °C/W。SiHK045N60EF熱阻抗比PowerPAK 8 x 8封裝器件低31%。
         
        日前發布的MOSFET符合 RoHS和Vishay綠色標準,無鹵素,耐受雪崩模式過壓瞬變,并保證極限值 100% 通過 UIS 測試。
         
        SiHK045N60EF現可提供樣品并已量產,如想了解產品供貨周期的相關信息可與Vishay銷售聯系。
         
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